اصول تصویربرداری در ولتاژهای بسیار پا یین با میکروسکوپ الکترونی روبشی

پیشرفت‌های فنی در زمینه میکروسکوپ الکترونی با قدرت تفکیک بالا در ولتاژ پا یین، مانند استفاده از آشکارسازهای جدید و کاهش خطای کروماتیک، این امکان را فراهم نموده است تا اطلاعات ارزشمندی در رابطه با مواد نارسانا که پیش از این تصویربرداری از آنها در میکروسکوپ‌های الکترونی با مشکلاتی همراه بوده است، به دست آید. همچنین از مزایای میکروسکوپ الکترونی روبشی با ولتاژ پایین می‌توان به کاهش تخریب نمونه‌های شکننده، کاهش حجم برهمکنش بین الکترون و ماده، کاهش شارژ الکترونی نمونه‌های نارسانا و محدوده انرژی الکترون‌ها اشاره نمود. بنابراین، انتخاب شرایط بهینه عملی در میکروسکوپ الکترونی روبشی، به منظور دستیابی به جزئیات واقعی از سطح نمونه‌ها، از اهمیت بسیار زیادی برخوردار است.